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                        Cree積極擴廠開發功率及射頻元件,GaN on SiC磊晶技術發展待觀察

                        作者:時間:2019-07-05來源:拓墣產業研究院收藏

                        全球SiC晶圓市場規模約為8千多億美元,SiC晶圓與大廠為求強化自身功率及元件研發能力,決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市,擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory),期望借此擴建案,提升在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占,并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及元件中。

                        本文引用地址:http://www.xinfa15808.cn/article/201907/402336.htm

                        收回Wolfspeed事業部,加碼擴廠開發功率及元件

                        以LED材料與元件起家的Cree,近年將研發方向集中于功率及元件領域的理由,可從其與Infineon的并購案淵源說起。原先Cree旗下以功率及元件為主力的Wolfspeed事業部因本身經營策略,已規劃于2016年7月公告出售該部門至Infineon功率半導體事業體,期望借由此次并購案,使Infineon成為車用SiC元件上的領先霸主;但事情發展并非如此順利,2017年2月出售案經美國外資投資委員會(CFIUS)評估后,以可能涉及軍事管制技術原因決議禁止該并購案,迫使Cree需重新思考因應策略及經營方針。

                        此后Cree于2018年2月及3月時,提出與Infineon的SiC晶圓長期供貨協議,并向Infineon收購其射頻功率半導體事業部,試圖解決美國外資投資委員會出售禁令的損失,保持與Infineon之合作關系。

                        2019年5月Cree又提出擴廠計劃,說明其已將開發重心逐漸轉回功率及射頻元件領域上,持續投入8寸SiC晶圓生成技術的提升,藉此拉抬SiC元件于車用、工業及消費型電子領域之市占空間。

                        各廠于之目標市場皆不同,后續發展仍需持續觀察

                        現行主要集中于Cree手中,Cree擁有最大SiC晶圓市占率(超過5成以上);根據官網資料,目前使用的SiC基板尺寸最大可達6寸,主要應用于功率半導體的車用、工業及消費型電子元件中,少量使用于通訊射頻領域上;未來擴廠計劃完工后,預期可見8寸SiC基板應用于相關功率及射頻元件制造。

                        另外,Cree在GaN on SiC磊晶技術領域的競爭對手為NTT AT(日本電信電話先進技術),其使用的SiC基板最大尺寸為4寸,借由后續磊晶成長如AlGaN(或InAlGaN)緩沖層后,形成HEMT(高電子移動率晶體晶體管)結構,目標開發高頻通訊功率元件。

                        因此現階段GaN on SiC磊晶技術之應用情形,各家廠商瞄準的目標市場皆不同,該技術仍處于發展階段,有待后續持續關注。 



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